삼성전자가 세계 최고 용량의 '1 테라비트(Tb) 8세대 V낸드'를 양산하며 반도체 시장 선도에 나섰습니다.
7일 삼성전자는 1Tb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 발표했습니다. 지난해 하반기에 7세대 낸드 양산을 시작한 후 1년 만입니다.
8세대 V낸드는 단위 면적 당 저장되는 비트 수가 업계 최고 수준인 고용량 제품으로 웨이퍼 당 비트 집적도가 이전 세대보다 크게 향상됐습니다.
또한, 최신 낸드플래시 인터페이스인 '토글 DDR 5.0'을 적용해 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 2.4 Gbps(초당 기가비트) 상당의 전송속도를 지원합니다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 통해 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하는 동시에 전장 시장까지 사업 영역을 확대한다는 방침입니다.
전장 시장은 최근 시스템 수준이 올라가고 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량과 사양이 높아지고 있습니다. 이에 따라 2030년 이후에는 서버, 모바일과 함께 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 전망됩니다.
한편, 최근 반도체 업계에서는 낸드 단수 경쟁이 심화되고 있습니다. 앞서 SK하이닉스와 마이크론 등이 200단 이상 V낸드 기술을 공개한 바 있습니다.
삼성전자 측은 8세대 V낸드의 정확한 단수를 공개하지는 않았지만 그간 200단 이상의 낸드를 만들 기술력이 있다고 강조한 만큼 낸드 단수가 200단을 넘었을 것이란 게 업계의 예상입니다.
아울러, 삼성전자는 올해 8세대 낸드 생산을 시작으로 오는 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획입니다.
이어 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 포부도 밝혔습니다.
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